AP9962GJ-HF

更新时间： 2024-11-30 13:05:35

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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Power Field-Effect Transistor

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AP9962GJ-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.65	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	32 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP9962GJ-HF 数据手册

AP9962AGD

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Low On-resistance

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

40V

25mΩ

▼ Single Drive Requirement

▼ PDIP-8 Package

PDIP-8

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, ultra low on-resistance and

cost-effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Rating

Units

V_DS

V_GS

+20

Continuous Drain Current³, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

5.5

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

℃

Storage Temperature Range

-55 to 150

T_J

Operating Junction Temperature Range

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

62.5

Unit

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200810282

12 3 4 5

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