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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AP9962GH
AP9962GH PDF预览

AP9962GH

更新时间： 2024-09-15 12:52:11
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 103K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP9962GH 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.64Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：32 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：150 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AP9962GH 数据手册

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AP9962GH/J  
RoHS-compliant Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
▼ Low On-resistance  
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
40V  
20mΩ  
32A  
D
S
▼ Single Drive Requirement  
▼ Surface Mount Package  
G
Description  
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and cost-  
effectiveness.  
G
D
TO-252(H)  
S
The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial  
surface mount applications and suited for low voltage applications  
such as DC/DC converters. The through-hole version (AP9962GJ) are  
available for low-profile applications.  
G
D
TO-251(J)  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
40  
Units  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
V
V
Gate-Source Voltage  
+20  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
ID@TC=25℃  
ID@TC=100℃  
IDM  
32  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current1  
20  
A
150  
A
PD@TC=25℃  
Total Power Dissipation  
27.8  
W
Linear Derating Factor  
0.22  
W/℃  
℃
℃
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
℃/W  
℃/W  
℃/W  
Rthj-c  
Maximum Thermal Resistance, Junction-case  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)3  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient  
4.5  
62.5  
110  
Rthj-a  
Rthj-a  
Data and specifications subject to change without notice  
1
200907164  
1234

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与AP9962GH相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP9962GH_14 A-POWER

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 		Single Drive Requirement
AP9962GJ A-POWER

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AP9962GJ_14 A-POWER

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