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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.63 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 32 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 32 A | 最大漏源导通电阻： | 0.02 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 27.8 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP9962BGH-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9962GH | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9962GH_14 | A-POWER |
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Single Drive Requirement |
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| AP9962GJ | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9962GJ_14 | A-POWER |
获取价格 |
Single Drive Requirement |
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| AP9962GJ-HF | A-POWER |
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Power Field-Effect Transistor |
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| AP9962GM | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9962GMA | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9962GM-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9962H | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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