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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | ULTRA LOW RESISTANCE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 45 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.014 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP9918GJ | A-POWER |
获取价格 |
Low on-resistance, Capable of 2.5V gate drive |
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| AP9918H | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9918J | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9920GEO | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9922AGEO-HF | A-POWER |
获取价格 |
Capable of 1.8V Gate Drive, Optimal DC/DC Battery Application |
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| AP9922EO | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9922GEO | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR 6400 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, |
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| AP9922GEO-HF | A-POWER |
获取价格 |
Capable of 1.8V Gate Drive, Optimal DC/DC Battery Application |
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| AP9923GEO-HF | A-POWER |
获取价格 |
Small & Thin Package, Capable of 1.8V Gate Drive |
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| AP9924AGO-HF | A-POWER |
获取价格 |
Low on-resistance, Capable of 2.5V gate drive |
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