AP9916GJ

更新时间： 2024-10-28 12:52:11

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富鼎先进 - A-POWER		晶体栅极晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅极驱动
页数	文件大小	规格书
6页	85K
描述
Low on-resistance, Capable of 2.5V gate drive

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AP9916GJ 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	18 V	最大漏极电流 (ID)：	35 A
最大漏源导通电阻：	0.025 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	90 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP9916GJ 数据手册

AP9916GH/J

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Low on-resistance

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

18V

25mΩ

35A

▼ Capable of 2.5V gate drive

▼ Low drive current

▼ Surface mount package

Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, ultra low on-resistance and

cost-effectiveness.

TO-252

TO-251

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 8

Continuous Drain Current, V_GS@ 4.5V

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=125℃

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current¹

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.4

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

2.5

Unit

℃/W

Rthj-c

Thermal Resistance Junction-case

Thermal Resistance Junction-ambient

Max.

Rthj-a

110

Data and specifications subject to change without notice

200723011

12 3 4 5 6

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