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AP98T06GP-HF

更新时间： 2024-10-28 20:03:11

品牌	Logo	应用领域
富鼎先进 - A-POWER		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	54K
描述
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

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AP98T06GP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.17
雪崩能效等级（Eas）：	45 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.005 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP98T06GP-HF 数据手册

AP98T06GP-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

60V

5mΩ

80A

▼ Lower Gate Charge

▼ Fast Switching Characteristic

▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the

best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-

resistance and cost-effectiveness.

TO-220(P)

The TO-220 package is widely preferred for commercial-industrial

through-hole applications.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V³

+20

I_D@T_C=25℃

I_DM

Pulsed Drain Current¹

320

250

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

℃

E_AS

T_STG

T_J

Single Pulse Avalanche Energy⁴

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

℃/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maixmum Thermal Resistance, Junction-ambient

0.5

Rthj-a

Data and specifications subject to change without notice

201309164

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AP98T06GS-HF	A-POWER	获取价格	Simple Drive Requirement, Lower Gate Charge, Fast Switching Characteristic
AP98T07GP-HF	A-POWER	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9912H	A-POWER	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP9912J	A-POWER	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP9915GK	A-POWER	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9915H	A-POWER	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9915J	A-POWER	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9915K	ETC	获取价格	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9916GH	A-POWER	获取价格	Low on-resistance, Capable of 2.5V gate drive
AP9916GJ	A-POWER	获取价格	Low on-resistance, Capable of 2.5V gate drive