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AP9770GT-HF

更新时间： 2024-02-21 07:43:52

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富鼎先进 - A-POWER		晶体小信号场效应晶体管开关
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4页	99K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP9770GT-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	1.5 A
最大漏源导通电阻：	0.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP9770GT-HF 数据手册

AP9770GT-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-60V

500mΩ

-1.5A

▼ Through Hole Type

▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

low on-resistance and cost-effectiveness.

The TO-92 package is widely used for all commercial-industrial

applications.

TO-92

(S-type)

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

-60

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+20

-1.5

-1.2

-6

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_L=25℃

I_D@T_L=100℃

I_DM

P_D@T_L=25℃

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

2.08

0.83

℃

Total Power Dissipation

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

℃/W

Rthj-l

Maximum Thermal Resistance, Junction-lead

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient

150

Data and specifications subject to change without notice

200908211

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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