AP9585GJ

更新时间： 2024-10-28 12:52:11

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富鼎先进 - A-POWER		/
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP9585GJ 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (ID)：	11.2 A
最大漏源导通电阻：	0.18 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP9585GJ 数据手册

AP9585GH/J

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Lower Gate Charge

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-80V

180mΩ

-11.2A

▼ Simple Drive Requirement

▼ Fast Switching Characteristic

Description

The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial

surface mount applications and suited for low voltage applications

such as DC/DC converters. The through-hole version (AP9585GJ) is

available for low-profile applications.

TO-252(H)

TO-251(J)

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

-80

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+25

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

-11.2

-7.1

-30

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

44.6

0.36

Linear Derating Factor

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

2.8

Units

℃/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)³

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient

Rthj-a

62.5

110

Rthj-a

Data and specifications subject to change without notice

200810021

12 3 4

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