AP9579GH-HF

更新时间： 2024-10-28 12:52:11

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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP9579GH-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	45 A
最大漏源导通电阻：	0.025 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP9579GH-HF 数据手册

AP9579GH-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Low On-resistance

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-60V

25mΩ

-45A

▼ Simple Drive Requirement

▼ Fast Switching Characteristic

▼ Halogen Free & RoHS Compliant

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the

best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-

resistance and cost-effectiveness.

TO-252(H)

The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial

surface mount applications and using infrared reflow technique and

suited for high current application due to the low connection resistance.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

-60

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

-45

-28.7

-160

P_D@T_C=25℃

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

Total Power Dissipation³

89.3

^oC

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

^oC/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)³

1.4

Rthj-a

62.5

Data and specifications subject to change without notice

201203051

12 3 4

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