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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AP9578GP
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AP9578GP

更新时间： 2024-10-28 12:52:11
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 202K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP9578GP 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.68Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.16 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AP9578GP 数据手册

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AP9578GS/P  
RoHS-compliant Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
D
S
▼ Lower On-resistance  
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
-60V  
160mΩ  
-10A  
▼ Simple Drive Requirement  
▼ Fast Switching Characteristic  
G
Description  
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with  
the best combination of fast switching, ruggedized device design, low  
on-resistance and cost-effectiveness.  
G
D
S
TO-263(S)  
The TO-263 package is universally preferred for all commercial-  
industrial surface mount applications and suited for low voltage  
applications such as DC/DC converters. The through-hole version  
(AP9578GP) are available for low-profile applications.  
G
TO-220(P)  
D
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
-60  
Units  
V
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
±25  
-10  
V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current1  
ID@TC=25℃  
ID@TC=100℃  
IDM  
A
-6  
A
-45  
A
PD@TC=25℃  
Total Power Dissipation  
28  
W
Linear Derating Factor  
0.23  
W/℃  
℃
℃
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
℃/W  
℃/W  
Rthj-c  
Thermal Resistance Junction-case  
Thermal Resistance Junction-ambient  
Max.  
Max.  
4.5  
62  
Rthj-a  
Data and specifications subject to change without notice  
200629071-1/4  
123456

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与AP9578GP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP9578GS A-POWER

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 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9579GH-HF A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9579GI-HF A-POWER

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9579GJ-HF A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9579GM-HF A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9579GP-HF A-POWER

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 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9579GS-HF A-POWER

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 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9579GS-HF_14 A-POWER

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 		Simple Drive Requirement
AP9581GP A-POWER

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 		TO-220
AP9581GP-HF A-POWER

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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