是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.69 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 9 A | 最大漏源导通电阻: | 0.16 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 36 A | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AP9578GJ | A-POWER |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9578GJ-HF | A-POWER |
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暂无描述 | |
AP9578GJ-HF_14 | A-POWER |
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Simple Drive Requirement | |
AP9578GM | A-POWER |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9578GM-HF | A-POWER |
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Power Field-Effect Transistor | |
AP9578GP | A-POWER |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9578GS | A-POWER |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9579GH-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9579GI-HF | A-POWER |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9579GJ-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |