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AP9575GS

更新时间： 2024-10-29 03:14:19
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 96K
描述
TRANSISTOR 16 A, 60 V, 0.07 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN, FET General Purpose Power

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AP9575GS 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.11配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.07 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AP9575GS 数据手册

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AP9575GS/P  
RoHS-compliant Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
D
S
▼ Lower Gate Charge  
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
-60V  
70mΩ  
-16A  
▼ Simple Drive Requirement  
▼ Fast Switching Characteristic  
G
Description  
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.  
G
D
S
TO-263(S)  
TO-220(P)  
The TO-263 package is widely preferred for all commercial-industrial  
surface mount applications and suited for low voltage applications  
such as DC/DC converters. The through-hole version (AP9575GP) are  
available for low-profile applications.  
G
D
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
-60  
Units  
V
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
+25  
-16  
V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current1  
ID@TC=25℃  
ID@TC=100℃  
IDM  
A
-10  
A
-60  
A
PD@TC=25℃  
Total Power Dissipation  
31.3  
0.25  
W
Linear Derating Factor  
W/℃  
℃
℃
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
℃/W  
℃/W  
℃/W  
Rthj-c  
Maximum Thermal Resistance, Junction-case  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)3  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient  
4.0  
40  
62  
Rthj-a  
Rthj-a  
Data and specifications subject to change without notice  
1
200902092  
1234

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与AP9575GS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP9575GS-HF A-POWER

获取价格

 		Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement, Fast Switching Characteristic
AP9575GS-HF_14 A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement
AP9575H A-POWER

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP9575J A-POWER

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP9575M A-POWER

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP9576GH A-POWER

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9576GH_14 A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement
AP9576GH-HF A-POWER

获取价格

 		Fast Switching Characteristic
AP9576GJ A-POWER

获取价格

 		TRANSISTOR 14 A, 60 V, 0.1 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT PACKA
AP9576GJ_14 A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement

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