是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
零件包装代码: | TO-251 | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.13 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 17 A | 最大漏极电流 (ID): | 17 A |
最大漏源导通电阻: | 0.064 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-251 | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 36 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AP9575AGM-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9575AGS-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9575AGS-HF_14 | A-POWER |
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Simple Drive Requirement | |
AP9575GH | A-POWER |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9575GH-HF | A-POWER |
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Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement, Fast Switching Characteristic | |
AP9575GH-HF_14 | A-POWER |
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Simple Drive Requirement | |
AP9575GI | A-POWER |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9575GI_09 | A-POWER |
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Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement | |
AP9575GI-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP9575GJ | A-POWER |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |