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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.68 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 51 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 51 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0125 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 54.3 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP9561AGH-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9561AGI-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP9561AGJ-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP9561AGM-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9561GH | A-POWER |
获取价格 |
TO-252 |
|
| AP9561GH-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Fast Switching Characteristic |
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| AP9561GH-HF_14 | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement |
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| AP9561GI | A-POWER |
获取价格 |
TO-220CFM |
|
| AP9561GI-HF | A-POWER |
获取价格 |
Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement |
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| AP9561GJ-HF | A-POWER |
获取价格 |
Lower On-resistance, Simple Drive Requirement |
|
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