AP90T03GHR

更新时间： 2024-09-13 13:05:35

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲驱动
页数	文件大小	规格书
6页	212K
描述
TRANSISTOR 75 A, 30 V, 0.004 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, REVERSE TO-252, 3 PIN, FET General Purpose Power

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AP90T03GHR 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.004 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP90T03GHR 数据手册

AP90T03GH/J

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Lower On- resistance

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

30V

4mΩ

75A

▼ Simple Drive Requirement

▼ Fast Switching Characteristic

Description

The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial

surface mount applications and suited for low voltage applications

such as DC/DC converters. The through-hole version (AP90T03GJ)

is available for low-profile applications.

TO-252(H)

TO-251(J)

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

350

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.7

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

1.3

Unit

℃/W

Rthj-c

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient

110

Data & specifications subject to change without notice

200802182

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AP90T03GJ	A-POWER	获取价格	Lower On- resistance, Simple Drive Requirement
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