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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.66 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 66 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0065 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP83T03AGMT-HF | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
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| AP83T03GH-HF | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR 75 A, 30 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND R |
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| AP83T03GJB | A-POWER |
获取价格 |
TO-251S |
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| AP83T03GJ-HF | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR 75 A, 30 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, HALOGEN FREE AND R |
|
| AP83T03GM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Lower On-resistance, Simple Drive Requirement |
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| AP83T03GMT-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, SO-8 Compatible |
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| AP851100RF | OHMITE |
获取价格 |
Moulded case for proctection and easy to mount |
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| AP851100RJ | OHMITE |
获取价格 |
Moulded case for proctection and easy to mount |
|
| AP85110KJ | OHMITE |
获取价格 |
Moulded case for proctection and easy to mount |
|
| AP85110RF | OHMITE |
获取价格 |
Moulded case for proctection and easy to mount |
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