AP80N30W

更新时间： 2024-02-23 05:37:21

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP80N30W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (ID)：	36 A
最大漏源导通电阻：	0.066 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	144 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP80N30W 数据手册

AP80N30W

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

300V

66mΩ

88A

▼ Lower On-resistance

▼ High Speed Switching

Description

AP80N30 from APEC provide the designer with the best combination of fast

switching , low on-resistance and cost-effectiveness .

The TO-3P package is preferred for commercial & industrial applications

with higher power level preclusion than TO-220 device.

TO-3P

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

300

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±30

Drain Current, V_GS@ 10V

I_D@T_C=25℃

I_DM

Pulsed Drain Current¹

270

I_DR

Body-Drain Diode Reverse Drain Current

Body-Drain Diode Reverse Drain Peak Current¹

Total Power Dissipation

I_DR(PULSE)

270

P_D@T_C=25℃

150

I_AR

Avalanche Current³

E_AR

T_STG

T_J

Single Pulse Avalanche Energy³

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

℃

-55 to 150

150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

℃/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient

0.833

Rthj-a

Data and specifications subject to change without notice

200805132

12 3 4 5

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