AP70L02GH

更新时间： 2024-01-31 19:08:54

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富鼎先进 - A-POWER		栅驱动
页数	文件大小	规格书
6页	84K
描述
Low Gate Charge, Simple Drive Requirement

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AP70L02GH 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (ID)：	66 A	最大漏源导通电阻：	0.009 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	210 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP70L02GH 数据手册

AP70L02GH/J

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Low Gate Charge

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

25V

9mΩ

66A

▼ Simple Drive Requirement

▼ Fast Switching

Description

The TO-252 package is universally preferred for all commercial-

industrial surface mount applications and suited for low voltage

applications such as DC/DC converters. The through-hole version

(AP70L02GJ) is available for low-profile applications.

TO-252(H)

TO-251(J)

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

210

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.53

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

1.9

Unit

℃/W

Rthj-case

Thermal Resistance Junction-case

Thermal Resistance Junction-ambient

Max.

Rthj-amb

110

Data & specifications subject to change without notice

200227032

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AP70L02GJ	A-POWER	Low Gate Charge, Simple Drive Requirement	获取价格
AP70L02GP	A-POWER	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	获取价格
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