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AP700D

更新时间: 2024-11-17 21:54:19
品牌 Logo 应用领域
ASI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 16K
描述
SILICON PIN DIODE

AP700D 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.77最小击穿电压:70 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最大二极管电容:0.3 pF二极管元件材料:SILICON
最大二极管正向电阻:1 Ω二极管电阻测试电流:20 mA
二极管电阻测试频率:1000 MHz二极管类型:PIN DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2少数载流子标称寿命:0.05 µs
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
子类别:PIN Diodes表面贴装:NO
技术:POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

AP700D 数据手册

  
AP700D  
SILICON PIN DIODE  
PACKAGE STYLE 15  
DESCRIPTION:  
The AP700D is a Diffused Epitaxial  
Silicon PIN diode.  
MAXIMUM RATINGS  
100 mA  
IC  
VCE  
PDISS  
TJ  
70 V  
500 mW @ TC = 25 OC  
-65 OC to +150 OC  
-65 OC to +175 OC  
200 OC  
TSTG  
TSOLD  
θJC  
50 OC/W  
NONE  
CHARACTERISTICS TC = 25 O  
C
SYMBOL  
VB  
TEST CONDITIONS  
MINIMUM  
TYPICAL MAXIMUM  
UNITS  
V
IR = 10 µA  
70  
CJ  
VR = 6.0 V  
f = 1.0 MHz  
0.3  
pF  
IF = 20 mA  
IF = 100 mA  
f = 1.0 GHz  
f = 1.0 MHz  
1.2  
1.0  
RS  
Ohms  
TL  
TS  
CP  
LS  
IF = 10 mA  
IR = 6.0 mA  
50  
nS  
nS  
PF  
nH  
10%-90% / 90%-10%  
5.0  
0.15  
2.5  
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.  
7525 ETHEL AVENUE NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 (818) 982-1202 FAX (818) 765-3004  
Specifications are subject to change without notice.  
REV. A  
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