AP60U02GH

更新时间： 2024-11-06 12:52:07

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲驱动
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5页	132K
描述
Simple Drive Requirement, Low On-resistance

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AP60U02GH 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (ID)：	40 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP60U02GH 数据手册

AP60U02GH

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

25V

12mΩ

40A

▼ Low On-resistance

▼ Fast Switching Characteristic

▼ RoHS Compliant

Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with

the best combination of fast switching, ruggedized device design, low

on-resistance and cost-effectiveness.

TO-252(H)

The TO-252 package is universally preferred for all commercial-

industrial surface mount applications and suited for low voltage

applications such as DC/DC converters.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

140

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.2

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 175

Thermal Data

Symbol

Value

Units

℃/W

Rthj-c

Thermal Resistance Junction-case

Thermal Resistance Junction-ambient

Max.

5.0

Rthj-a

110

Data and specifications subject to change without notice

200907071-1/4

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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