5秒后页面跳转
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.68 | 雪崩能效等级（Eas）： | 288 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 67 A | 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 250 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP60T10GP-HF | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
|
| AP60T10GP-HF_14 | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement |
|
| AP60T10GS | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP60T10GS-HF | A-POWER |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| AP60T10GS-HF_14 | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement |
|
| AP60U02GH | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Low On-resistance |
|
| AP60U03GH | A-POWER |
获取价格 |
Low On-resistance, Simple Drive Requirement |
|
| AP-610-G-A | SAMTEC |
获取价格 |
IC Socket, DIP10, 10 Contact(s), |
|
| AP-610-G-A1 | SAMTEC |
获取价格 |
IC Socket, DIP10, 10 Contact(s), |
|
| AP-610-G-A2 | SAMTEC |
获取价格 |
IC Socket, DIP10, 10 Contact(s), |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
