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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AP60T03GJ-HF
AP60T03GJ-HF PDF预览

AP60T03GJ-HF

更新时间： 2024-11-18 13:02:07
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER /
页数 文件大小 规格书
4页 80K
描述
TRANSISTOR 45 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power

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AP60T03GJ-HF 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：TO-251
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.64配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：45 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AP60T03GJ-HF 数据手册

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AP60T03AH/J  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
D
S
▼ Simple Drive Requirement  
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
30V  
12mΩ  
45A  
▼ Low Gate Charge  
▼ Fast Switching  
G
Description  
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.  
G
D
TO-252(H)  
TO-251(J)  
S
The TO-252 package is universally preferred for all commercial-  
industrial surface mount applications and suited for low voltage  
applications such as DC/DC converters. The through-hole version  
(AP60T03AJ) are available for low-profile applications.  
G
D
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
30  
Units  
V
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
±20  
V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
ID@TC=25℃  
ID@TC=100℃  
IDM  
45  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current1  
32  
A
120  
A
PD@TC=25℃  
Total Power Dissipation  
44  
W
Linear Derating Factor  
0.352  
-55 to 175  
-55 to 175  
W/℃  
℃
℃
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
3.4  
Units  
℃/W  
℃/W  
Rthj-c  
Thermal Resistance Junction-case  
Thermal Resistance Junction-ambient  
Max.  
Max.  
Rthj-a  
110  
Data and specifications subject to change without notice  
200909033  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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 		TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
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 		Simple Drive Requirement

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