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AP60T03GH-HF PDF预览

AP60T03GH-HF

更新时间： 2024-11-18 20:10:51
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 94K
描述
TRANSISTOR 45 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power

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AP60T03GH-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.64
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：45 A最大漏源导通电阻：0.012 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AP60T03GH-HF 数据手册

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AP60T03GH/J  
RoHS-compliant Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
D
S
▼ Simple Drive Requirement  
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
30V  
12mΩ  
45A  
▼ Low Gate Charge  
▼ Fast Switching Characteristic  
▼ RoHS Compliant  
G
Description  
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the  
best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-  
resistance and cost-effectiveness.  
G
D
S
TO-252(H)  
TO-251(J)  
The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial  
surface mount applications and suited for low voltage applications such  
as DC/DC converters. The through-hole version (AP60T03GJ) are  
available for low-profile applications.  
G
D
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
30  
Units  
V
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
+20  
V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
ID@TC=25℃  
ID@TC=100℃  
IDM  
45  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current1  
32  
A
120  
A
PD@TC=25℃  
Total Power Dissipation  
44  
W
Linear Derating Factor  
0.3  
W/℃  
W
PD@TA=25℃  
Total Power Dissipation3  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
2.4  
TSTG  
TJ  
-55 to 175  
-55 to 175  
℃
℃
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
3.4  
Units  
℃/W  
℃/W  
℃/W  
Rthj-c  
Maximum Thermal Resistance, Junction-case  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)3  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient  
Rthj-a  
62.5  
110  
Rthj-a  
Data and specifications subject to change without notice  
1
201112077  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
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