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AP50G60SW PDF预览

AP50G60SW

更新时间： 2024-11-01 13:02:39
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 开关
页数 文件大小 规格书
3页 91K
描述
TRANSISTOR 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, TO-3P, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor

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AP50G60SW 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.65
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：75 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：210 ns标称接通时间 (ton)：49 ns
Base Number Matches：1

AP50G60SW 数据手册

 浏览型号AP50G60SW的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP50G60SW的Datasheet PDF文件第3页 
AP50G60SW-HF  
Halogen-Free Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N-CHANNEL INSULATED GATE  
BIPOLAR TRANSISTOR  
Features  
VCES  
IC  
600V  
45A  
C
▼ High Speed Switching  
▼ Low Saturation Voltage  
VCE(sat),Typ.=2.6V@IC=33A  
C
G
▼ Built-in Fast Recovery Diode  
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free  
C
TO-3P  
G
E
E
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
Units  
V
VCES  
Collector-Emitter Voltage  
600  
+30  
75  
VGE  
Gate-Emitter Voltage  
Collector Current  
V
IC@TC=25oC  
IC@TC=100oC  
ICM  
IF@TC=25oC  
IF@TC=100oC  
PD@TC=25oC  
TSTG  
A
Collector Current  
45  
A
Pulsed Collector Current  
Diode Forward Current  
Diode Forward Current  
Maximum Power Dissipation  
Storage Temperature Range  
150  
A
40  
A
15  
A
300  
W
oC  
oC  
oC  
-55 to 150  
150  
TJ  
Operating Junction Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering Purposes  
, 1/8" from case for 5 seconds .  
TL  
300  
Notes:  
1.Pulse width limited by max. junction temperature .  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
Rthj-c  
Rthj-c(Diode) Thermal Resistance Junction-Case  
Rthj-a Thermal Resistance Junction-Ambient  
Thermal Resistance Junction-Case  
0.42  
1.5  
40  
Electrical Characteristics@Tj=25oC(unless otherwise specified)  
Symbol  
IGES  
ICES  
Parameter  
Test Conditions  
VGE=+30V, VCE=0V  
CE=600V, VGE=0V  
VGE=15V, IC=33A  
GE=15V, IC=50A  
Min. Typ. Max. Units  
Gate-to-Emitter Leakage Current  
Collector-Emitter Leakage Current  
-
-
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+100  
nA  
uA  
V
V
-
500  
2.6  
3.1  
-
3
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
V
3.5  
V
VCE=VGE, IC=250uA  
IC=33A  
VGE(th)  
Qg  
Gate Threshold Voltage  
Total Gate Charge  
Gate-Emitter Charge  
Gate-Collector Charge  
Turn-on Delay Time  
Rise Time  
6
V
nC  
nC  
nC  
ns  
ns  
ns  
ns  
mJ  
mJ  
pF  
pF  
pF  
55  
12  
27  
27  
22  
110  
100  
0.7  
1.2  
100  
V
CE=400V  
Qge  
Qgc  
td(on)  
tr  
-
VGE=15V  
VCE=390V,  
Ic=33A,  
-
-
-
VGE=15V,  
RG=5Ω,  
td(off)  
tf  
Turn-off Delay Time  
Fall Time  
-
260  
Inductive Load  
Eon  
Eoff  
Cies  
Coes  
Cres  
Turn-On Switching Loss  
Turn-Off Switching Loss  
Input Capacitance  
-
-
V
GE=0V  
1250 2000  
VCE=30V  
f=1.0MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
235  
7
-
-
IF=15A  
V
VF  
trr  
FRD Forward Voltage  
-
-
-
1.3  
65  
1.7  
IF=15A  
ns  
nC  
FRD Reverse Recovery Time  
FRD Reverse Recovery Charge  
-
-
Qrr  
di/dt = 200 A/μs  
230  
Data and specifications subject to change without notice  
1
201303274  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP50G60SW-HF A-POWER

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