AP4578GD

更新时间： 2024-09-30 08:32:03

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP4578GD 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.72	其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏源导通电阻：	0.064 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDIP-T8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP4578GD 数据手册

AP4578GD

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE POWER MOSFET

▼ Low Gate Charge

N-CH BV_DSS

60V

64mΩ

4.5A

▼ Fast Switching Speed

▼ PDIP-8 Package

R_DS(ON)

I_D

P-CH BV_DSS

R_DS(ON)

▼ RoHS Compliant

-60V

PDIP-8

125mΩ

-3A

Description

I_D

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, ultra low on-resistance and

cost-effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

N-channel

P-channel

-60

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

±20

4.5

3.6

Gate-Source Voltage

±20

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

-3

-2.4

-20

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

2.0

0.016

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

62.5

Unit

Rthj-a

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200616051-1/7

12 3 4 5 6 7

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