AP4569GH

更新时间： 2024-09-28 08:32:03

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描述
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP4569GH 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-252, 5 PIN	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	外壳连接：	DRAIN
配置：	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	10.5 A	最大漏源导通电阻：	0.042 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
元件数量：	2	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

AP4569GH 数据手册

AP4569GH

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

N-CH BV_DSS

40V

52mΩ

14A

D1/D2

▼ Good Thermal Performance

▼ Fast Switching Performance

▼ RoHS Compliant

R_DS(ON)

I_D

P-CH BV_DSS

R_DS(ON)

-40V

90mΩ

-11A

TO-252-4L

Description

I_D

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and cost-

effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

N-channel

P-channel

-40

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

±20

Gate-Source Voltage

±20

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

-11

8.7

-6.6

-50

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

15.6

W/℃

℃

0.125

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

℃/W

Rthj-c

Thermal Resistance Junction-case³

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

Rthj-a

110

Data and specifications subject to change without notice

200524051-1/7

12 3 4 5 6 7

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