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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AP4569GD
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AP4569GD

更新时间： 2024-09-28 08:32:03
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER /
页数 文件大小 规格书
7页 99K
描述
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP4569GD 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.84其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏源导通电阻：0.052 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDIP-T8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AP4569GD 数据手册

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AP4565GM  
Pb Free Plating Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE POWER MOSFET  
▼ Simple Drive Requirement  
N-CH BVDSS  
40V  
25mΩ  
7.6A  
D2  
D2  
▼ Low On-resistance  
RDS(ON)  
D1  
D1  
▼ Fast Switching Performance  
ID  
P-CH BVDSS  
RDS(ON)  
G2  
S2  
-40V  
G1  
SO-8  
S1  
33mΩ  
-6.5A  
Description  
ID  
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and cost-  
effectiveness.  
D2  
D1  
G2  
G1  
The SO-8 package is universally preferred for all commercial-  
industrial surface mount applications and suited for low voltage  
applications such as DC/DC converters.  
S1  
S2  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
Units  
N-channel  
P-channel  
-40  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
40  
±20  
7.6  
6
V
V
Gate-Source Voltage  
±20  
ID@TA=25℃  
ID@TA=70℃  
IDM  
Continuous Drain Current3  
Continuous Drain Current3  
Pulsed Drain Current1  
-6.5  
A
-5.2  
A
30  
-30  
A
PD@TA=25℃  
Total Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
2.0  
W
0.016  
W/℃  
℃
℃
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
62.5  
Unit  
Rthj-a  
Thermal Resistance Junction-ambient3  
Max.  
℃/W  
Data and specifications subject to change without notice  
200422041  
1234567

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与AP4569GD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP4569GH A-POWER

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 		N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4569GM A-POWER

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 		N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4575GH-HF A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement, Good Thermal Performance
AP4575GM A-POWER

获取价格

 		N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4575GM_12 A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement, Low On-resistance
AP4575GM-HF A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement, Low On-resistance
AP4575M A-POWER

获取价格

 		N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4578GD A-POWER

获取价格

 		N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4578GH A-POWER

获取价格

 		N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4578GH_11 A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement, Good Thermal Performance

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