5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, SOP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP4565GM | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP4565M | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP4569GD | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP4569GH | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP4569GM | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP4575GH-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Good Thermal Performance |
|
| AP4575GM | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP4575GM_12 | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Low On-resistance |
|
| AP4575GM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Low On-resistance |
|
| AP4575M | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
