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AP4527GH

更新时间： 2024-09-28 12:52:11

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富鼎先进 - A-POWER		驱动
页数	文件大小	规格书
8页	198K
描述
Simple Drive Requirement, Good Thermal Performance

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AP4527GH 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-5	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.82
外壳连接：	DRAIN	配置：	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	7.6 A
最大漏源导通电阻：	0.032 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
元件数量：	2	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP4527GH 数据手册

AP4527GH

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE POWER MOSFET

D1/D2

▼ Simple Drive Requirement

N-CH BV_DSS

40V

32mΩ

7.6A

▼ Good Thermal Performance

▼ Fast Switching Performance

R_DS(ON)

I_D

P-CH BV_DSS

R_DS(ON)

-40V

52mΩ

-6.1A

TO-252-4L

Description

I_D

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

N-channel

P-channel

-40

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

±20

7.6

6.0

Gate-Source Voltage

±20

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

-6.1

-4.9

-50

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

3.125

0.025

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

℃/W

Rthj-c

Thermal Resistance Junction-case

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

Rthj-a

Data and specifications subject to change without notice

200904072-1/7

12 3 4 5 6 7 8

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