5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.04 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP4523GH | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Good Thermal Performance |
|
| AP4523GM | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Low On-resistance |
|
| AP4525GEH | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP4525GEH_08 | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP4525GEH-A | A-POWER |
获取价格 |
NAND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP4525GEH-HF | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
|
| AP4525GEM | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP4525GEM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Low On-resistance |
|
| AP4526AGH-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Good Thermal Performance |
|
| AP4526GH | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Good Thermal Performance |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
