5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-5 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 11.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.036 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP4521GEM | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Fast Switching Performance |
|
| AP4523GD | A-POWER |
获取价格 |
Low Gate Charge, Fast Switching Speed, PDIP-8 Package |
|
| AP4523GH | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Good Thermal Performance |
|
| AP4523GM | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Low On-resistance |
|
| AP4525GEH | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP4525GEH_08 | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP4525GEH-A | A-POWER |
获取价格 |
NAND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP4525GEH-HF | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
|
| AP4525GEM | A-POWER |
获取价格 |
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP4525GEM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Low On-resistance |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
