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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AP4500GM-HF
AP4500GM-HF PDF预览

AP4500GM-HF

更新时间： 2024-09-21 12:52:07
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 晶体栅极晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管驱动
页数 文件大小 规格书
7页 125K
描述
Simple Drive Requirement, Low Gate Charge

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AP4500GM-HF 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.18
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AP4500GM-HF 数据手册

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AP4500GM-HF  
Halogen-Free Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE POWER MOSFET  
▼ Simple Drive Requirement  
N-CH BVDSS  
20V  
30mΩ  
6A  
D2  
D2  
▼ Low Gate Charge  
D1  
RDS(ON)  
D1  
▼ Fast Switching Performance  
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free  
ID  
P-CH BVDSS  
RDS(ON)  
G2  
S2  
-20V  
50mΩ  
-5A  
G1  
S1  
SO-8  
Description  
ID  
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with  
the best combination of fast switching, ruggedized device design,  
low on-resistance and cost-effectiveness.  
D1  
D2  
The SO-8 package is widely preferred for commercial-industrial  
surface mount applications and suited for low voltage applications  
such as DC/DC converters.  
G2  
G1  
S1  
S2  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
Units  
V
N-channel  
P-channel  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
20  
+12  
6
-20  
+12  
-5  
Gate-Source Voltage  
V
A
ID@TA=25℃  
ID@TA=70℃  
IDM  
Continuous Drain Current3  
Continuous Drain Current3  
Pulsed Drain Current1  
4.8  
20  
-4  
A
-20  
A
PD@TA=25℃  
Total Power Dissipation  
2.0  
W
Linear Derating Factor  
0.016  
W/℃  
℃
℃
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
62.5  
Unit  
Rthj-a  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient3  
℃/W  
Data and specifications subject to change without notice  
1
201208066  
1234567

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与AP4500GM-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP4500GYT-HF A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement, Good Thermal Performance
AP4501AGEM-HF A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement, Low On-resistance
AP4501AGEY-HF A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement, Low On-resistance
AP4501AGM A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement, Fast Switching Performance
AP4501AGM-HF A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement, Low On-resistance
AP4501CGM-HF A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement, Low Gate Charge
AP4501GD A-POWER

获取价格

 		N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4501GH-HF A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement, Good Thermal Performance
AP4501GM A-POWER

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 		N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4501GSD A-POWER

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 		N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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