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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AP4439GMT-HF
AP4439GMT-HF PDF预览

AP4439GMT-HF

更新时间： 2024-11-21 12:52:07
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 驱动
页数 文件大小 规格书
4页 103K
描述
Simple Drive Requirement, SO-8 Compatible

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AP4439GMT-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.68配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：58 A
最大漏源导通电阻：0.01 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-N8湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AP4439GMT-HF 数据手册

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AP4439GMT-HF  
Halogen-Free Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
▼ Simple Drive Requirement  
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
-30V  
10mΩ  
-58A  
D
S
▼ SO-8 Compatible  
▼ Lower Gate Charge  
G
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free  
D
Description  
D
D
AP4439 series are from Advanced Power innovated design and silicon  
process technology to achieve the lowest possible on-resistance and fast  
switching performance. It provides the designer with an extreme efficient  
device for use in a wide range of power applications.  
D
The PMPAK® 5x6 package is special for voltage conversion application  
using standard infrared reflow technique with the backside heat sink to  
achieve the good thermal performance.  
S
S
S
G
PMPAK® 5x6  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
-30  
Units  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
V
V
Gate-Source Voltage  
+25  
Continuous Drain Current (Chip), VGS @ 10V  
Continuous Drain Current3, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current3, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current1  
ID@TC=25℃  
ID@TA=25℃  
ID@TA=70℃  
IDM  
-58  
A
-18.5  
-14.8  
-200  
A
A
A
PD@TC=25℃  
PD@TA=25℃  
TSTG  
Total Power Dissipation  
50  
W
W
℃
℃
Total Power Dissipation  
5
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
TJ  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
℃/W  
℃/W  
Rthj-c  
Maximum Thermal Resistance, Junction-case  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient3  
2.5  
25  
Rthj-a  
Data and specifications subject to change without notice  
1
201205211  
1234

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与AP4439GMT-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP4451GH-HF A-POWER

获取价格

 		Low On-resistance, Simple Drive Requirement
AP4451GM-HF A-POWER

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 		Simple Drive Requirement, Lower On-resistance
AP4451GYT-HF A-POWER

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 		Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile
AP4453GYT A-POWER

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 		PMPAK-3x3
AP4453GYT-HF A-POWER

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 		Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile
AP4455GEH-HF A-POWER

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 		Simple Drive Requirement, Lower On-resistance
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 		TRANSISTOR 30 V, 0.021 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 3 X 3 MM, HALOGEN FREE AND ROHS
AP4455GMT-HF A-POWER

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 		Simple Drive Requirement, SO-8 Compatible
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 		Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile
AP4457JY A-POWER

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 		2928-8RU

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