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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | 3 X 3 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PMPAK-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.63 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.021 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-PDSO-F8 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP4435M | A-POWER |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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| AP4436GM | A-POWER |
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Low on-resistance, Capable of 2.5V gate drive |
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| AP4437GM-HF | A-POWER |
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Simple Drive Requirement, Lower On-resistance |
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| AP4438AGM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Low On-resistance |
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| AP4438BGM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement |
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| AP4438CGM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement |
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| AP4438GM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement |
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| AP4438GSM-HF | A-POWER |
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Simple Drive Requirement, Good Recovery Time |
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| AP4438GYT | A-POWER |
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PMPAK-3x3 |
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| AP4438GYT-HF | A-POWER |
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Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile |
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