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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | TO-251 |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.64 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 40 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.02 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 150 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP4435GJ-HF_14 | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement |
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| AP4435GM | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP4435GM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Low On-resistance |
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| AP4435GYT-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile |
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| AP4435M | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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| AP4436GM | A-POWER |
获取价格 |
Low on-resistance, Capable of 2.5V gate drive |
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| AP4437GM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Lower On-resistance |
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| AP4438AGM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Low On-resistance |
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| AP4438BGM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement |
|
| AP4438CGM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement |
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