AP4435GJ

更新时间： 2024-11-21 13:05:35

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富鼎先进 - A-POWER		/
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4页	73K
描述
TRANSISTOR 40 A, 30 V, 0.02 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power

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AP4435GJ 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	40 A	最大漏源导通电阻：	0.02 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP4435GJ 数据手册

AP4435D

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Low On-resistance

▼ Fast Switching Speed

▼ PDIP-8 Package

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-30V

20mΩ

-9A

PDIP-8

Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, lower on-resistance and

cost-effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

- 30

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

- 9

- 5.8

- 50

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

Storage Temperature Range

2.5

0.02

W/℃

℃

T_STG

T_J

-55 to 150

Operating Junction Temperature Range

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rthj-a

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

201114031

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