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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AP40N03GP
AP40N03GP PDF预览

AP40N03GP

更新时间： 2024-01-02 20:58:40
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 栅驱动
页数 文件大小 规格书
4页 106K
描述
Low Gate Charge Simple Drive Requirement

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AP40N03GP 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.68配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：40 A
最大漏源导通电阻：0.017 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：169 A
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AP40N03GP 数据手册

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AP40N03GP  
RoHS-compliant Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
▼ Low Gate Charge  
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
30V  
17mΩ  
40A  
▼ Simple Drive Requirement  
▼ Fast Switching Characteristic  
G
D
TO-220  
S
Description  
D
S
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.  
G
The TO-220 package is widely preferred for all commercial-industrial  
applications and suited for low voltage applications such as DC/DC  
converters and high efficiency switching circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
30  
Units  
V
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
+20  
V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
ID@TC=25℃  
ID@TC=100℃  
IDM  
40  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current1  
30  
A
169  
A
PD@TC=25℃  
Total Power Dissipation  
50  
W
Linear Derating Factor  
0.4  
W/℃  
℃
℃
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
℃/W  
℃/W  
Rthj-c  
Maximum Thermal Resistance, Junction-case  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient  
2.5  
62  
Rthj-a  
Data & specifications subject to change without notice  
1
200910094  
1234

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与AP40N03GP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP40N03GP-HF A-POWER

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 		TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
AP40N03GS A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP40N03S A-POWER

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP40N-050KG-4-STICK FUJIKURA

获取价格

 		Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 7Psi Max, 1.5%, Rectangular, Through Hole Mount,
AP40N-050KG-6 FUJIKURA

获取价格

 		Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 7Psi Max, 1.5%, Rectangular, Through Hole Mount,
AP40N-050KG-R-STICK FUJIKURA

获取价格

 		Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 7Psi Max, 1.5%, Rectangular, Through Hole Mount,
AP40N-050KV-2 FUJIKURA

获取价格

 		Peizoresistive Sensor, -7Psi Min, 0Psi Max, 1.5%, Rectangular, Through Hole Mount,
AP40N-050KV-2-STICK FUJIKURA

获取价格

 		Peizoresistive Sensor, -7Psi Min, 0Psi Max, 1.5%, Rectangular, Through Hole Mount,
AP40N-050KV-4-STICK FUJIKURA

获取价格

 		Peizoresistive Sensor, -7Psi Min, 0Psi Max, 1.5%, Rectangular, Through Hole Mount,
AP40N-050KV-5 FUJIKURA

获取价格

 		Peizoresistive Sensor, -7Psi Min, 0Psi Max, 1.5%, Rectangular, Through Hole Mount,

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