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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AP25N10GP-HF
AP25N10GP-HF PDF预览

AP25N10GP-HF

更新时间： 2024-11-18 12:52:11
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER /
页数 文件大小 规格书
4页 106K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP25N10GP-HF 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.64
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：23 A最大漏源导通电阻：0.08 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AP25N10GP-HF 数据手册

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AP25N10GS/P-HF  
Halogen-Free Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
D
S
▼ Low Gate Charge  
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
100V  
80mΩ  
23A  
▼ Simple Drive Requirement  
▼ Fast Switching Characteristic  
G
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free  
Description  
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.  
G
D
S
TO-220(P)  
The TO-263 package is widely preferred for all commercial-industrial  
surface mount applications and suited for low voltage applications  
such as DC/DC converters. The through-hole version (AP25N10GP)  
are available for low-profile applications.  
G
D
TO-263(S)  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
100  
Units  
V
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
+20  
V
ID@TC=25℃  
ID@TC=100℃  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current1  
23  
A
14.6  
A
80  
A
PD@TC=25℃  
Total Power Dissipation  
96  
W
Linear Derating Factor  
0.77  
W/℃  
℃
℃
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
1.3  
Units  
℃/W  
℃/W  
℃/W  
Rthj-c  
Maximum Thermal Resistance, Junction-case  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)3  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient  
Rthj-a  
40  
Rthj-a  
62  
Data & specifications subject to change without notice  
1
200906033  
1234

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与AP25N10GP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP25N10GP-HF_14 A-POWER

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 		Simple Drive Requirement
AP25N10GS-HF A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP25N10GS-HF_14 A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement
AP25P15GI A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP25P15GS-HF A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP25T03GJ A-POWER

获取价格

 		Lower Gate Charge Simple Drive Requirement
AP25X1FGE-7 DIODES

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 		2.5A SINGLE CHANNEL CURRENT-LIMITED POWER SWITCH
AP25X1M8-13 DIODES

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 		2.5A SINGLE CHANNEL CURRENT-LIMITED POWER SWITCH
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 		2.5A SINGLE CHANNEL CURRENT-LIMITED POWER SWITCH

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