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AP2332GN-HF

更新时间： 2024-01-25 10:36:32

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富鼎先进 - A-POWER		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	97K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP2332GN-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	0.027 A	最大漏源导通电阻：	300 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	9 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP2332GN-HF 数据手册

AP2332GN-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

600V

300Ω

27mA

▼ Small Package Outline

▼ Surface Mount Device

▼ Halogen Free & RoHS Compliant Product

SOT-23

Description

Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to

achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and

cost-effectiveness device.

The SOT-23 package is widely used for commercial-industrial applications.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

600

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current³, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

+20

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

100

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

0.5

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

℃

T_J

℃

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

250

Unit

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

201008022

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AP2344GN	A-POWER	获取价格	SOT-23
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