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AP2320GN-HF

更新时间： 2024-10-01 12:52:11

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富鼎先进 - A-POWER		晶体小信号场效应晶体管光电二极管放大器
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4页	54K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP2320GN-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	0.25 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP2320GN-HF 数据手册

AP2320GN-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

100V

5Ω

▼ Small Package Outline

▼ Surface Mount Device

0.25A

▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

SOT-23

Description

Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing

techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely

efficient and cost-effectiveness device.

The SOT-23 package is widely used for commercial-industrial

applications.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

100

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+20

0.25

Continuous Drain Current³, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

0.2

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

0.7

Linear Derating Factor

0.005

-55 to 150

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

180

Unit

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

201211145

12 3 4

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AP2324GN-HF	A-POWER	获取价格	Capable of 2.5V gate drive, Lower Gate Charge
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