AP2310GG-HF

更新时间： 2024-09-25 12:52:11

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富鼎先进 - A-POWER		晶体栅极开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
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描述
Lower Gate Charge, Fast Switching Characteristic

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AP2310GG-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏源导通电阻：	0.09 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP2310GG-HF 数据手册

AP2310GG-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Lower Gate Charge

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

60V

90mΩ

2.7A

▼ Fast Switching Characteristic

▼ Simple Drive Requirement

▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, ultra low on-resistance and

cost-effectiveness.

SOT-89

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V³

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

2.7

2.2

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

1.25

℃

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

100

Unit

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

201010121

12 3 4

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