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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.83 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 40 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 265 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 55 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP20GT60W | A-POWER |
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N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| AP20N-001MG | FUJIKURA |
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Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 150Psi Max, 1.5%, 4.6325-4.7675V, Rectangular, Through Ho |
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| AP20N-001MG-STICK | FUJIKURA |
获取价格 |
Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 150Psi Max, 1.5%, 4.6325-4.7675V, Rectangular, Through Ho |
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| AP20N-025KG | FUJIKURA |
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Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 3Psi Max, 1.5%, 4.6325-4.7675V, Rectangular, Through Hole |
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| AP20N-025KG-STICK | FUJIKURA |
获取价格 |
Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 3Psi Max, 1.5%, 4.6325-4.7675V, Rectangular, Through Hole |
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| AP20N03GP | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP20N03GS | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP20N03H | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP20N03J | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP20N03P | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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