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AP20GT60P-HF PDF预览

AP20GT60P-HF

更新时间： 2024-09-15 12:52:11
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 晶体晶体管栅
页数 文件大小 规格书
3页 65K
描述
N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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AP20GT60P-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.62最大集电极电流 (IC)：40 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：380 ns门极发射器阈值电压最大值：7 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：104 W子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：325 ns标称接通时间 (ton)：70 ns
Base Number Matches：1

AP20GT60P-HF 数据手册

 浏览型号AP20GT60P-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP20GT60P-HF的Datasheet PDF文件第3页 
AP20GT60P-HF  
Halogen-Free Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N-CHANNEL INSULATED GATE  
BIPOLAR TRANSISTOR  
Features  
VCES  
IC  
600V  
20A  
▼ High Speed Switching  
▼ Low Saturation Voltage  
VCE(sat),typ.=1.8V@IC=20A  
G
TO-220(P)  
C
E
C
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free  
G
E
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
Units  
V
VCES  
Collector-Emitter Voltage  
600  
+20  
VGE  
Gate-Emitter Voltage  
Collector Current  
V
IC@TC=25oC  
IC@TC=100oC  
ICM  
40  
A
Collector Current  
20  
A
Pulsed Collector Current1  
Maximum Power Dissipation  
Storage Temperature Range  
160  
A
PD@TC=25oC  
104  
W
oC  
oC  
TSTG  
-55 to 150  
150  
TJ  
Operating Junction Temperature Range  
Notes:  
1.Pulse width limited by Max. junction temperature .  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
1.2  
Units  
oC/W  
oC/W  
Rthj-c  
Rthj-a  
Thermal Resistance Junction-Case  
Thermal Resistance Junction-Ambient  
62  
Electrical Characteristics@Tj=25oC(unless otherwise specified)  
Symbol  
IGES  
ICES  
Parameter  
Gate-to-Emitter Leakage Current  
Collector-Emitter Leakage Current  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Gate Threshold Voltage  
Total Gate Charge  
Test Conditions  
GE=+20V, VCE=0V  
Min. Typ. Max. Units  
V
-
-
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+100  
nA  
uA  
V
VCE=600V, VGE=0V  
VGE=15V, IC=20A  
VGE=15V, IC=35A  
-
25  
VCE(sat)  
VCE(sat)  
VGE(th)  
Qg  
1.8  
2
2.5  
-
V
V
CE=VGE, IC=250uA  
-
7
V
IC=20A  
nC  
nC  
nC  
ns  
ns  
ns  
ns  
mJ  
mJ  
pF  
pF  
pF  
100  
24  
40  
50  
20  
135  
190  
0.3  
0.9  
160  
VCC=480V  
Qge  
Gate-Emitter Charge  
-
V
V
GE=15V  
Qgc  
Gate-Collector Charge  
Turn-on Delay Time  
-
CE=480V,  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
-
Ic=20A,  
Rise Time  
-
VGE=15V,  
RG=5Ω,  
Turn-off Delay Time  
-
Fall Time  
380  
Inductive Load  
Eon  
Turn-On Switching Loss  
Turn-Off Switching Loss  
Input Capacitance  
-
-
Eoff  
VGE=0V  
Cies  
Coes  
Cres  
3400 5440  
V
CE=30V  
Output Capacitance  
75  
50  
-
-
Reverse Transfer Capacitance  
f=1.0MHz  
Data and specifications subject to change without notice  
1
201106013  
123

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与AP20GT60P-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP20GT60SW A-POWER

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 		N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
AP20GT60W A-POWER

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 		N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
AP20N-001MG FUJIKURA

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 		Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 150Psi Max, 1.5%, 4.6325-4.7675V, Rectangular, Through Ho
AP20N-001MG-STICK FUJIKURA

获取价格

 		Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 150Psi Max, 1.5%, 4.6325-4.7675V, Rectangular, Through Ho
AP20N-025KG FUJIKURA

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 		Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 3Psi Max, 1.5%, 4.6325-4.7675V, Rectangular, Through Hole
AP20N-025KG-STICK FUJIKURA

获取价格

 		Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 3Psi Max, 1.5%, 4.6325-4.7675V, Rectangular, Through Hole
AP20N03GP A-POWER

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP20N03GS A-POWER

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP20N03H A-POWER

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