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AP20GT60ASP-HF PDF预览

AP20GT60ASP-HF

更新时间： 2024-11-19 12:52:11
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 晶体晶体管栅
页数 文件大小 规格书
3页 101K
描述
N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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AP20GT60ASP-HF 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.62
最大集电极电流 (IC)：33 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：340 ns标称接通时间 (ton)：60 ns
Base Number Matches：1

AP20GT60ASP-HF 数据手册

 浏览型号AP20GT60ASP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP20GT60ASP-HF的Datasheet PDF文件第3页 
AP20GT60ASP-HF  
Halogen-Free Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N-CHANNEL INSULATED GATE  
BIPOLAR TRANSISTOR  
Features  
VCES  
IC  
600V  
19A  
▼ High Speed Switching  
▼ Low Saturation Voltage  
G
TO-220(P)  
C
E
VCE(sat),typ.=1.7V@IC=19A  
C
E
▼ RoHS Compliant Product  
G
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
Units  
V
VCES  
Collector-Emitter Voltage  
600  
+20  
33  
VGE  
Gate-Emitter Voltage  
V
IC@TC=25oC  
IC@TC=100oC  
ICM  
Collector Current  
A
Collector Current  
19  
A
Pulsed Collector Current1  
Diode Forward Current  
Diode Pulse Forward Current  
Maximum Power Dissipation  
Storage Temperature Range  
72  
A
IF@TC=100oC  
8
A
IFM  
40  
A
PD@TC=25oC  
TSTG  
78.1  
-55 to 150  
150  
W
oC  
oC  
TJ  
Operating Junction Temperature Range  
Notes:  
1.Pulse width limited by Max. junction temperature .  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
1.6  
Units  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
Rthj-c  
Thermal Resistance Junction-Case  
Rthj-c(Diode) Thermal Resistance Junction-Case  
Rthj-a Thermal Resistance Junction-Ambient  
2.4  
62  
Electrical Characteristics@Tj=25oC(unless otherwise specified)  
Symbol  
IGES  
Parameter  
Gate-to-Emitter Leakage Current  
Collector-Emitter Leakage Current  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Gate Threshold Voltage  
Total Gate Charge  
Test Conditions  
GE=+20V, VCE=0V  
VCE=600V, VGE=0V  
Min. Typ. Max. Units  
V
-
-
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+100 nA  
ICES  
VCE(sat)  
VCE(sat)  
VGE(th)  
Qg  
-
1
mA  
V
V
V
V
GE=15V, IC=19A  
GE=15V, IC=25A  
CE=VGE, IC=250uA  
1.7  
1.9  
-
2.2  
-
V
6
V
IC=20A  
nC  
nC  
nC  
ns  
ns  
ns  
ns  
mJ  
mJ  
pF  
pF  
pF  
95  
16  
35  
40  
20  
140  
200  
0.1  
1
150  
V
V
CC=480V  
GE=15V  
Qge  
Gate-Emitter Charge  
-
Qgc  
Gate-Collector Charge  
Turn-on Delay Time  
-
VCE=480V,  
Ic=20A,  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
-
Rise Time  
-
V
GE=15V,  
Turn-off Delay Time  
-
RG=5Ω,  
Fall Time  
400  
Inductive Load  
Eon  
Turn-On Switching Loss  
Turn-Off Switching Loss  
Input Capacitance  
-
-
Eoff  
V
V
GE=0V  
Cies  
Coes  
Cres  
2760 4400  
CE=30V  
Output Capacitance  
65  
40  
-
-
Reverse Transfer Capacitance  
f=1.0MHz  
IF=8A  
V
VF  
trr  
FRD Forward Voltage  
-
-
-
1.8  
30  
30  
2.4  
IF=8A  
ns  
nC  
FRD Reverse Recovery Time  
FRD Reverse Recovery Charge  
-
-
Qrr  
di/dt = 100 A/μs  
Data and specifications subject to change without notice  
1
201112271  
123

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与AP20GT60ASP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP20GT60I A-POWER

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 		N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
AP20GT60P-HF A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
AP20GT60SW A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
AP20GT60W A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
AP20N-001MG FUJIKURA

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 		Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 150Psi Max, 1.5%, 4.6325-4.7675V, Rectangular, Through Ho
AP20N-001MG-STICK FUJIKURA

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 		Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 150Psi Max, 1.5%, 4.6325-4.7675V, Rectangular, Through Ho
AP20N-025KG FUJIKURA

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 		Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 3Psi Max, 1.5%, 4.6325-4.7675V, Rectangular, Through Hole
AP20N-025KG-STICK FUJIKURA

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 		Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 3Psi Max, 1.5%, 4.6325-4.7675V, Rectangular, Through Hole
AP20N03GP A-POWER

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP20N03GS A-POWER

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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