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AP2000A-00

更新时间： 2024-11-20 02:50:43

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ASI		二极管
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1页	14K
描述
SILICON PIN DIODE CHIP

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AP2000A-00 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	S-XUUC-N1
针数：	1	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.40
风险等级：	5.77	应用：	SWITCHING
最小击穿电压：	120 V	配置：	SINGLE
最大二极管电容：	0.1 pF	二极管元件材料：	SILICON
最大二极管正向电阻：	1.5 Ω	二极管电阻测试电流：	10 mA
二极管电阻测试频率：	100 MHz	二极管类型：	PIN DIODE
频带：	KU BAND	JESD-30 代码：	S-XUUC-N1
少数载流子标称寿命：	0.15 µs	元件数量：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	UNCASED CHIP
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	PIN Diodes	表面贴装：	YES
技术：	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

AP2000A-00 数据手册

AP2000A-00

SILICON PIN DIODE CHIP

DESCRIPTION:

The AP2000A-00 is a Planar Silicon

PIN Diode Chip Designed for Medium

Speed Switching Applications Up to

18 GHz.

FEATURES INCLUDE:

• Low Capacitance - 0.10 pF Typical

• Fast Switching - 15 nS Typical

• SiO₂Passivation

PACKAGE STYLE CHP152

MAXIMUM RATINGS

100 mA

I_F

V_R

0.002” ±0.001”

120 V

0.5 W @ T_A= 25 ^OC

-65 ^OC to +175 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

45 ^OC/W

P_DISS

T_J

0.015” ±0.002” SQ.

T_STG

θ_JC

Anode = Pad

Cathode = Bottom Side

CHARACTERISTICS ^T_A^{= 25}^O

NONE

SYMBOL

V_BR

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_R= 10 µA

120

C_J

V_R= 10 V

f = 1.0 MHz

f = 100 MHz

0.10

R_S

T_L

t_rr

I_F= 10 mA

I_F= 20 mA

1.0

1.5

Ω

I_R= 6.0 mA

V_R= 10 V

150

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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