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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> AP1L3N
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AP1L3N

更新时间： 2024-11-19 22:27:35
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
6页 86K
描述
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor

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AP1L3N 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.88其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.12
最大集电极电流 (IC)：0.7 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AP1L3N 数据手册

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DATA SHEET  
COMPOUND TRANSISTOR  
AP1 SERIES  
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor  
For mid-speed switching  
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)  
FEATURES  
•
•
•
Current drive available up to 0.7 A  
On-chip bias resistor  
Low power consumption during drive  
AP1 SERIES LISTS  
R1 (KΩ)  
−
R2 (KΩ)  
10  
Products  
AP1A4A  
AP1L2Q  
AP1A3M  
AP1F3P  
AP1J3P  
AP1L3N  
AP1A4M  
0.47  
1.0  
4.7  
1.0  
10  
Electrode Connection  
1. Emitter  
2. Collector JEDEC: TO-92  
3. Base IEC : PA33  
EIAJ : SC-43B  
2.2  
3.3  
10  
4.7  
10  
10  
10  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current (DC)  
Collector current (Pulse)  
Base current (DC)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC(DC)  
IC(pulse) *  
IB(DC)  
PT  
Ratings  
−25  
Unit  
V
−25  
V
−10  
V
−0.7  
A
−1.0  
A
−0.02  
750  
A
Total power dissipation  
Junction temperature  
mW  
°C  
°C  
Tj  
150  
−55 to +150  
Storage temperature  
Tstg  
* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50 %  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No. D16171EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published April 2002 N CP(K)  
Printed in Japan  
2002  
©
123456

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与AP1L3N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP1L3N-AZ NEC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
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