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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-220CFM, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.65 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 40 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP18P10GJ-HF | A-POWER |
获取价格 |
Fast Switching Characteristic |
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| AP18P10GK | A-POWER |
获取价格 |
SOT-223 |
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| AP18P10GK-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP18P10GM | A-POWER |
获取价格 |
SO-8 |
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| AP18P10GS | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP18P10GS-HF | A-POWER |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| AP18SCN | BANNER |
获取价格 |
S18-2 Plastic 18 mm Barrel Sensors |
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| AP18SRN | BANNER |
获取价格 |
M18-3 Nickel-Plated Brass 18 mm Barrel Sensors |
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| AP18T10AGH,J-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP18T10AGH-HF | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR 9 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND RO |
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