是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
零件包装代码: | TO-252 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.69 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 140 V |
最大漏极电流 (ID): | 15 A | 最大漏源导通电阻: | 0.18 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AP15P15GI | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP15P15GM | A-POWER |
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SO-8 | |
AP15P15GM-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP15P15GP-HF | A-POWER |
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TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power | |
AP15T03GH | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP15T03GJ | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP15T03H | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP15T03J | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP15T15GH-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
AP15T15GI-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |