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AP15P15GH-HF

更新时间： 2024-02-09 02:05:35

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
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4页	100K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP15P15GH-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	140 V	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.18 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP15P15GH-HF 数据手册

AP15P15GH-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Lower Gate Charge

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-140V

180mΩ

-15A

▼ Simple Drive Requirement

▼ Fast Switching Characteristic

▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

TO-252(H)

ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial

surface mount applications and suited for low voltage applications

such as DC/DC converters.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

-140

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

-15

-9.7

-60

P_D@T_C=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

89.2

℃

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

℃/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)³

1.4

Rthj-a

62.5

Data and specifications subject to change without notice

200909141

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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