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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.67 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15 A | 最大漏源导通电阻： | 0.08 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP15N03GI | A-POWER |
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TRANSISTOR 15 A, 30 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, T |
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| AP15N03GJ | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP15N03GJ-HF | A-POWER |
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TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
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| AP15N03GP | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP15N03H | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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| AP15N03J | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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| AP15N03P | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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| AP15N05-ZERO | AMPHENOL |
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AP 系列是 HIECUBE 为客户提供的小型封装形式的高效绿色模块电源，该型号电源具有交 |
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| AP15N07-ZERO | GLENAIR |
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AP 系列7W是 HIECUBE 为客户提供的小型封装形式的高性能模块电源，该系列电源具有 |
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| AP15N12-ZERO | GLENAIR |
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AP 系列12W是 HIECUBE 为客户提供的小型封装形式的高性能模块电源，该系列电源具 |
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