AP1332GEU

更新时间： 2024-01-30 16:15:13

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富鼎先进 - A-POWER		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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4页	59K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP1332GEU 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
零件包装代码：	SC-75	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.45 A	最大漏极电流 (ID)：	0.45 A
最大漏源导通电阻：	0.9 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP1332GEU 数据手册

AP1332GEU

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Gate Drive

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

20V

▼ Small Package Outline

600mΩ

600mA

▼ 2KV ESD Rating(Per MIL-STD-883D)

▼ RoHS Compliant

SOT-323

Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

low on-resistance and cost-effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Unit

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±6

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current^1,2

600

470

2.5

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

0.35

Linear Derating Factor

0.003

-55 to 150

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

℃

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

360

Unit

Rthj-a

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200606051-1/4

12 3 4

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