AP1332GEU

更新时间： 2024-11-17 08:31:35

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富鼎先进 - A-POWER		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP1332GEU 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	其他特性：	ULTRA LOW RESISTANCE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏源导通电阻：	0.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP1332GEU 数据手册

AP1332GEU

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Gate Drive

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

20V

▼ Small Package Outline

600mΩ

600mA

▼ 2KV ESD Rating(Per MIL-STD-883D)

▼ RoHS Compliant

SOT-323

Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

low on-resistance and cost-effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Unit

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±6

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current^1,2

600

470

2.5

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

0.35

Linear Derating Factor

0.003

-55 to 150

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

℃

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

360

Unit

Rthj-a

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200606051-1/4

12 3 4

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